清华大学开发显露0.34nm晶体管：这可能是摩尔定律最后一个节点

发布时间:2025/12/13 12:21 来源:普陀家居装修网

日前清华大学日前，集成电路学院任天令教授团队在小厚度真空管研究方面取得重大突破，首次构建了具有亚1纳米接地宽度的真空管，真空管接地宽度等效0.34nm。

据清华大学介绍，以外主流工业界真空管的接地厚度在12nm以上，日本中在2012年构建了等效3nm的平面无结型硅基真空管，2016年美国构建了化学栅长为1nm的平面硫化钼真空管，而清华大学以外构建等效的化学栅长为0.34nm。

为有利于突破1纳米以下栅长真空管的瓶颈，本研究团队巧妙运用矽薄膜超薄的单氧原子层厚度和出众的导电性能作为接地，通过矽侧向电场来控制垂直的MoS2晶粒的接点，从而构建等效的化学栅长为0.34nm。

以外全球半导体工业出厂的集成电路技术还是7nm、5nm瓷，实验室中有2nm甚至1nm瓷，那清华大学整合的0.34nm真空管有什么意义呢？

IEEETwitter上也介绍了这次突破，该研究的资深译者、北京清华大学维兰任天令在谈话中表示，“我们已经构建了世界上最少的接地宽度真空管”。

“在期望，人们基本上不可能会制造少于 0.34 nm 的接地宽度，”任天令指出，“这可能会是摩尔定律的最后一个节点。”

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话题标签：集成电路清华摩尔定律